RAM-Vergleich Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Gesamtnote

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

38 54

Rund um 30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.5 10.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.0 8.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 23400

Rund um 1.09% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2283 2259

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns