RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
23400
Wokół strony 1.09% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
54
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
23400
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2259
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link