RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2419
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link