RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2419
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link