RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
9.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
2419
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link