Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Puntuación global
star star star star star
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 29
    En 21% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.9 left arrow 9.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    23 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.6 left arrow 13.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.4 left arrow 9.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2096 left arrow 2419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones