RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
23400
Около 1.09% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
54
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
10.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
23400
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2259
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link