RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3419
2889
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Сравнения RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link