RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
2889
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link