RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3809
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link