RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2609
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link