RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
35
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2609
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link