RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
92
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3245
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link