RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
32
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
3393
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link