RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
32
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.7
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3393
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link