Confronto tra le RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Punteggio complessivo

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

22 32

Intorno 31% latenza inferiore

Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.6 17.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

14.7 12.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 21300

Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3075 3393

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns