Comparaison de la RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Note globale

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

22 32

Autour de 31% latence réduite

Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.6 17.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

14.7 12.7

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 21300

Autour de 1.2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3075 3393

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns