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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
32
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3393
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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