Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Gesamtnote
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 32
    Rund um 31% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.6 left arrow 17.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 12.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 21300
    Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    22 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.7 left arrow 20.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 14.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3075 left arrow 3393
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