Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Puntuación global
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 63
    En -133% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.9 left arrow 5.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    63 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    7.7 left arrow 15.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.0 left arrow 10.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1130 left arrow 2288
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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