RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
63
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1130
2288
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link