RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2657
1902
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link