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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
71
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
71
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
1902
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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