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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
43
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2474
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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