RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
43
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
36
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2474
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link