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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

总分
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 14.2
    测试中的平均数值
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 43
    左右 -19% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.7 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 10.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 2474

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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