RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
71
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
15
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
71
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
1902
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link