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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
63
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
31
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
3256
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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