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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Puntuación global
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Valor medio en las pruebas
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 59
    En -127% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.6 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 15.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 11.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 2808

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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Memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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