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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
2541
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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