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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
総合得点
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
63
周辺 -163% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
7.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
5.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
24
読み出し速度、GB/s
7.7
15.3
書き込み速度、GB/秒
5.0
10.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1130
2541
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAMの比較
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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