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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Compara
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
3075
Mushkin 991988 (996988) 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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