RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
3075
Mushkin 991988 (996988) 4GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link