RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2301
2831
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link