RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2831
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link