RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
51
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2831
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link