RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Puntuación global
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1982
2609
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link