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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1952
2876
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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