RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2355
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link