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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
3206
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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