RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3206
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link