RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3206
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link