RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2347
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link