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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
52
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
52
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2472
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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