Comparação RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

46 52

Por volta de 12% menor latência

Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.1 1,519.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 3200

Por volta de 5.31 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

241 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns