RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
74
En -95% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3264
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link