RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2288
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link