RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2288
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link