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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2173
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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