RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2173
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link