RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3593
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link