RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
35
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
32
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3593
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link