RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
35
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
32
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3593
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link