RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2695
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link